- 生產廠商 :
日本 TOSHIBA
公司
- 晶體編號 :
GT20D101 (NPN) , GT20D201 (PNP)
- 晶體參數 :
Vces = 250V , Vges = +-20V , Ic = 20A , Pc = 180W , Ti = 150℃
- 編號規格 :
GT→IGBT簡稱
, 20→額定集電級電流
20A , D→耐壓
250V
2→PNP
, 1→NPN
, 01→產品編號
- 晶體腳位 :
由左到右分別為
G , C , E
大家都知道 ,
現代擴大機中最常用的輸出晶體是雙極性晶體(Bipolar或BJT)
和 MOS
功率場效應晶體
。IGBT 是
Insu-lated Gate Bipolar Transistors 之
簡單化用語
。 IGBT 是由場效應晶體和雙極性晶體複合而成
, 目的是要綜合
上述兩種晶體的優點
。 IGBT 它的輸入具有
MOSFET 高速和電壓驅動特點
，輸出則有雙極性晶體電流大
, 飽和降壓低的特點
。
如果我們以工作頻率
, 電流容量和耐壓對
IGBT , MOS , BJT加以比較
, 那麼
雙極性晶體電流容量最大
, 工作頻率最低
, MOSFET 的電流容量最小
, 工作
頻率最高 ,
耐壓最低
, IGBT 電流容量接近雙極性晶體,
耐壓最高
, 工作頻率
較 MOSFET
低 ,
這是一般的比較結果,
但在做為音頻擴大機放大應用
,IGBT
的工作頻率還是足夠高的
, 在此前題下
IGBT 它的高耐壓
, 大電流和低飽和
降壓還是相當另人注目
,尤其適合製作功率較大的擴大機並穫得較大的可靠性。
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